2024 - 2030全球半导体用二氧化铪市场趋势洞察，规模突破0.5亿，CAGR 6.8%--QYResearch

二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构，熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。

二氧化铪是一种高介电常数（High-k）材料，广泛应用于现代半导体器件中的栅氧化层。传统的硅氧化物（SiO₂）随着摩尔定律的推移逐渐无法满足小型化需求，因为硅氧化物的介电常数较低。相比之下，二氧化铪的介电常数较高，能够在更薄的层次上实现较高的电容值，从而提高器件的性能。

据QYResearch调研团队最新报告“全球半导体用二氧化铪市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球半导体用二氧化铪市场规模将达到0.5亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为6.8%。


根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内半导体用二氧化铪生产商主要包括ATI、Framatome等。2023年，全球前三大厂商占有大约92.0%的市场份额。


就产品类型而言，目前Purity≥99.9%是最主要的细分产品，占据大约62.44%的份额。

就产品应用而言，目前是栅极介电材料最主要的需求来源，占据大约67.26%的份额。

主要驱动因素:
用做高k材料代替SiO₂。由于其卓越的绝缘性能，HfO₂已成为先进MOSFET中的行业标准栅极介电材料，可以减少漏电流并提高晶体管性能。
AI、HPC和数据中心的需求。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和基于云的数据中心的发展需要更高效、更高速的晶体管，这推动了下一代MOSFET中基于HfO的栅极绝缘体的采用。
5G及5G以上通信系统对高频、低功耗晶体管的需求不断增加，推动了HfO₂在MOSFET和FinFET中的应用。

（本文数据来源QYResearch统计及预测，仅供参考，最新行业数据请咨询我们）

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